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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于鈦、鋯管材和板材的退火熱處理。也可用于陶瓷芯塊等特殊材料的熱處理等工藝。
優(yōu)勢與特點：
加熱結構多區(qū)，加熱均勻。
有效工作空間體積小，潔凈無污染。
爐門配有獨特密封結構，確保正負壓雙方向密封。
冷卻方式多樣性，可供選擇。
可選項：
1、固定式
2、移動式
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.kyo168.com
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