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半導(dǎo)體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于晶體生長、化合反應(yīng)等工藝。
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)：
工作溫度從常溫到2000℃，壓力達(dá)到10MPa。
可根據(jù)客戶實(shí)際需求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號(hào)
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.kyo168.com
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